晚上，许秋回到寝室，看到室友孙一凡坐在桌子前打着个台灯，对着电脑搓炉石。
孙一凡招呼道：“许秋，回来啦，你看到辅导员发的名单了嘛，我们直博生没人权啊，居然都只有二奖，一奖都被硕博连读的给捞走了。”
许秋耸了耸肩，附和了一句：“是啊，我之前也以为我们是一奖呢……不过一奖、二奖也差不多，估计最多也就相差一两千块钱，洒洒水啦。”
“那倒也是，”孙一凡点点头，随口问道：“对了，许秋你有申请国奖嘛？我记得你本科文章好像发了不少吧。”
“嗯，申请了。”许秋回应道。他在孙一凡后面看了一会儿，游戏刚开局，双方都是30血，看不出什么来，WAR3他是玩过的，但暴雪之后出的包括WOW、炉石之类的都没有接触过。
孙一凡突然说道：“我听说我们博士班的班长，穆雪也申请了国奖。”
许秋愣了一下，问道：“穆雪，她不是从清北大学保研过来的嘛，怎么申请的？”
孙一凡摇摇头：“那我就不清楚了。”
两人又聊了几句，许秋听到外面洗手间的浴室有人出来，便带着洗浴用品和一卡通洗澡去了。
平常许秋和孙一凡的交流并不多，不像本科时候的室友那么频繁，当然，也可能是陶焱比较自来熟的缘故。
洗完澡后，许秋往床上一趟，进入模拟实验室。
这些天，针对半透明电池器件，他已经在模拟实验室中进行了不少的尝试，并获得了一些前期工作的结果。
半透明器件的制备难度并不大，和传统器件的唯一不同之处就是，电极被更换为了半透明电极材料，包括薄层金属、银纳米线或是ITO等。
其中，ITO的制备难度太高，需要用到磁控溅射等手段，于是许秋就只尝试了旋涂银纳米线，以及蒸镀薄层金属电极这两种。
之前，许秋本来以为银纳米线旋涂出来，可以兼具导电性和透光性两大优点，成为非常完美的半透明电极材料。
但是在实际操作过程中发现，结果并不理想。
他使用蓝河公司购买的银纳米线溶液旋涂出来的薄膜，透光性是满足了，看起来非常的通透，可导电性方面就扑街了，制备出来的器件直接是断路状态。
为了探明原因，许秋用万用表测试了一下银纳米线薄膜的电阻，发现它的阻值在千欧的级别，而平常ITO电极的电阻阻值一般在几欧姆的级别，差了三个数量级以上。
后来，他进一步的探索，用AFM、TEM、SEM等各种电镜进行观察，反正模拟实验室里电镜也不花钱，就索性全用上测一遍。
最终结果显示，旋涂得到的银纳米线很多根都是近似平行的或者堆在一起的，而且还有一些已经断掉了的纳米线。
纳米线这种东西想要具有良好的导电性，必须要每根纳米线相互之间接触良好，形成一种类似于网格状的结构。
因此，现在这样的微观结构，导电率低下也就很容易理解了，可能的原因是旋涂过程中对银纳米线造成了取向和破坏。
为了试图解决这个问题，许秋浏览了一下小虫子网站。
发现其他人在旋涂银纳米线的时候，也出现过类似的问题，包括导电性差、稳定性差等，而且没有太好的解决方法。
于是，许秋又去查阅了一些文献，发现制备银纳米线导电薄膜的常用方法，是刮涂、滴涂，以及“slot-die”的方法。
所谓“slot-die”的方法，有点像是刮涂的进阶版本，就是在基片上方一定高度处放一个窄槽，这个窄槽里面不断注入有效层或者传输层溶液，这些溶液会从窄槽中滴落，落到基片上成膜，因为是窄槽，所以形成的薄膜也是细细的窄膜。这个时候，让溶液在滴落的过程中，以一定的速率同步的移动窄槽，就可以使得滴落后的溶液扑满窄槽扫过的面积，也即得到一层薄膜。
“slot-die”和刮涂的区别就是刮涂是先把溶液滴在基片上，而“slot-die”是溶液在窄槽内，然后一点点的往出流，因此工艺难度很稍微高一些。
许秋的这番操作，其实也是他在遇到实验失败时的常规步骤：
首先根据实验现象推断可能的原因；
然后用便宜的方法（万用表）初步确认原因；
再用贵的方法（各种电镜）确认原因，当然如果组里没钱的话，这一步可以省略；
接着，去小虫子看看其他人有没有类似的情况，他们是怎么解决的；
最后翻文献，找到解决或者替代的方法。
这些顺序也不是完全固定的，可以根据实际需要进行调整。
另外，之所以首先要去小虫子逛逛，是因为这里是关于科研的中文论坛，大佬们层出不穷，如果能精准的搜索到别人已经解决的问题，就会省下不少时间，类似于程序圈里用别人造好的轮子。
毕竟，检索SCI论文花费的时间可不少，很多时候可能一个小时过去了，好不容易找到了几篇相关的文献，但最后发现都没什么用，解决不了问题。
当然，也不是每次经过这番操作，都能解决实验失败的问题。
就比如这次，许秋一顿操作猛如虎，最终得出结论，PLAN A（计划A）扑街。
即基于实验室现有的设备，用银纳米线薄膜的这个方法制备半透明器件的顶电极并不合适。
不过，许秋丝毫不慌。
因为他还有PLAN B，所以他也懒得去优化银纳米线制备工艺了，直接暂时放弃PLAN A，先用薄层金属电极的方法搞起，日后如果有需要的话，再重新尝试也不迟。
在正式的实验之前，许秋对现有的半透明器件文献做了一个简单的总结。
他发现半透明器件这个概念在好几年前就有了，文献也不少，光一区二区的文章就有十多篇，不少都是国外一个大组Yang Yang发表的。
不过，之前只有富勒烯的体系，虽然可见光范围内的平均透过率（AVT）可以做的很高，最高甚至能达到50%，但效率（PCE）一直上不去。
光有AVT，没有PCE，这就和“只要面子，没有里子”差不多，就比如50%的AVT配上1%的PCE，没什么太大的意义，光伏器件最终还是得回归到效率的比拼上。
目前，性能最好的一个工作是基于的半透明器件，效率只有7%，AVT也只有25%，他们采用的电极是薄层的10纳米银电极。
正式实验的时候，许秋尝试了三种薄层电极，分别是常用的金、银、铝和两个体系作为标样，制备了不同厚度金属电极的器件，从5纳米到正常的100纳米不等。
最终的结果体系为例。
电极厚度在100纳米条件下，金、银、铝电极，器件最高效率分别为12.3%、12.4%和12.5%，三种电极的器件效率相当。此时器件的AVT约为0，即器件几乎完全不透过可见光。
50纳米条件下，最高效率分别为12.0%、12.1%和12.0%，三种电极的器件效率仍然相当。此时器件的AVT同样约为0。
30纳米条件下，最高效率分别为10.8%、11.0%和6.2%，三种电极的器件效率产生分化，其中金、银作为电极的器件，效率衰减不明显，而铝作为电极的器件，效率衰减比较严重。此时器件的AVT达到了5%-10%，可见光有部分可以透过，可以模模糊糊的看到器件背后的东西。
20纳米条件下，最高效率分别为9.4%、10.2%和0%，金、银作为电极的器件，效率衰减仍不明显，而铝作为电极的器件，已经断路。此时器件的AVT达到了10%-20%，可见光有部分可以透过，可以模模糊糊的看到器件背后的东西。
10纳米条件下，最高效率分别为8.0%、9.0%和0%，金、银作为电极的器件，也开始发生分化，银电极的器件效率更高。此时器件的AVT达到了20%-40%，可见光有较大的一部分可以透过，可以较为清楚的看到器件背后的东西。
5纳米条件下，最高效率分别为5.3%、1.2%和0%，金电极器件仍然能保持一定的器件效率，而银电极器件效率直接跳水，接近于断路。此时器件的AVT达到了30%-45%，可见光有较大的一部分可以透过，可以很清楚的看到器件背后的东西。
另外，电极厚度降低的过程中，器件的效率衰减主要是因为短路电流密度降低所致，开路电压、填充因子两项参数几乎保持不变。
针对这些实验现象：
小学生的水平，能够得出比较简单的结论。
哇，世界纪录又
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